2020年11月2日下午，复旦大学微电子学院包文中研究员来我院作题为《论新型二维材料在集成电路中的可行性和优势》的学术报告。

个人简介：

包文中，复旦大学微电子学院研究员，博士生导师。2015年入选国家和上海的海外高层次人才引进计划。主要研究领域是基于新型二维材料的微电子和光电器件。在基础科研和应用领域已发表英文论文100余篇，总引用两万余次，入选了科睿唯安2018年全球高被引研究者。曾获得2015年国际物理纯粹与应用学会（IUPAP）青年科学家奖，以及2017年的求是基金会杰出青年学者。目前是国家重点研发计划纳米科技青年项目的负责人。

讲座摘要：

近几年，二维层状材料的器件应用引起了广泛的关注。和石墨烯相比，半导体性质的二维过渡金属硫族化合物（2D-TMDs）拥有不同大小且可调控的丰富带隙，在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景。材料制备方面，自下而上的化学气相沉积法更适合晶圆级大面积高质量的二维材料制备，其中，CVD法制备二维TMDs材料近几年来取得了快速发展，但存在着一系列亟待解决的关键问题，包括选择合适的生长基底，调控不同组分的扩散次序、浓度、压力、时间等条件，解析大尺寸晶畴的生长条件，以及发展异质结构的交替生长方法，等等。此外，由于CVD生长的薄膜缺陷较多，晶畴和晶界也较为复杂，所以晶圆级MoS2连续薄膜的器件工艺目前还不是非常完善。我们的工作以晶圆级TMDs连续薄膜的CVD制备为基础，探索若干重要的分立器件工艺，诸如源漏接触、掺杂和栅介质沉积等等，同时研究能带和散射机制等关键物性的调控及其科学问题，为工艺优化提供参考和帮助，并最终实现材料制备、器件工艺和集成优化的有机结合。最后我们也探索了晶圆级TMDs连续薄膜在信息器件领域的实际应用，目前取得了初步进展，制备了晶圆范围的MoS2高性能场效应晶体管阵列，并进一步实现具有功能的简单电路。